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第86章 硅电晶体实验成功（第3页）

他说完后。

便立刻转过身，让人照做。

瞩附完后，又回来和江阳继续討论。

硅电晶体製造的流程很长。

从单晶切割、机械拋光、化学清洗。

到干氧氧化、光刻与图形化，掺杂pn结。

每个步骤。

都要上数个小时的功夫。

而且整个过程。

並不是一帆风顺。

比如掺杂pn结时，没有离子注入机，开关扩散掺杂浓度波动有土30%。

这个数字，显然是不能接受的。

因此必须通过经验修正。

当然，江阳他们现在没有经验，所以足足失败了好几次。

才勉强得到一个理想的数据，继续进行试验。

不过这时候。

一天的时间，也就这么过去了。

接下来。

半导体研究室，就是不断地重复实验。

在三天后。

吸取数次失败的经验教训，眾人终於做出成果。

实验室內。

王寿吾眼角带笑，正想跟宣布这个好消息。

忽然看到坐在边上喝茶的江阳。

他走上前，道：

“江教授，要不您来说罢。”

说著。

王寿吾將手中的实验结果报告，递了出去。

虽说江阳一直是技术总顾问的身份参与研究。

但在他的心中。

就是硅电晶体研究的技术负责人。

江阳看著报告，道：

“其实还是有很多不足的。”

“在实验过程中。”

“出现了光刻图形失真、扩散结深失控和金属电极失效等问题—.—”

隨著江阳的分析。

实验室內的眾人，当即收拢喜色，开始认真记录。