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第82章 双管齐下继续推进硅电晶体研製工作（第1页）

第82章双管齐下，继续推进硅电晶体研製工作！

次日，早。

江阳刚刚来到半导体实验室。

京机厂那边。

就送来了j5060通过最终测试的消息。

至此。

他们终於拥有了，能够完成製备，且满足光刻要求硅片的设备。

会议室內。

王寿吾正在对这段时间的研究成果，进行总结。

除开j5060外。

採用氧化铝研磨膏+铸铁拋光碟，以及化学腐蚀的方式。

完成了化学机械拋光。

並利用两台显微镜加一个紫外曝光灯，搭建了“土光刻机”

。

虽说只能勉强实现10微米的线宽。

但也能满足最低图形解析度的需求。

当然。

也不是所有的研究都一帆风顺。

王寿吾道：

“光刻和扩散，是我们现在面临的两大难题。”

“手工光刻误差太大。”

“而开关扩散的掺杂，不仅存在波动，同一电晶体上的閾值电压差异——””

他说完后。

眾人陷入沉思。

江阳也没有著急开口，而是等待眾人討论。

毕竟他不能什么都解决。

没过多久。

很快便有人开口，道：

“我认为，可以尝试从光刻胶上取得突破。”

听到他的话。

所有人都下意识地看向江阳。

光刻胶这个概念。

还是江阳提出来的。

在此之前，他们都是以合金法和台面工艺製作电晶体，无需光刻胶。

王寿吾頜首道：