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第59章 为了国家半导体发展去培养人才（第1页）

客厅內。

时间一分一秒地过去。

吴德心和李智俭两人，紧张得大气都不敢出。

江阳偶尔皱眉时。

他们的心更是一沉到底。

……

就这样过去10多分钟。

江阳看完吴德心的稿纸后，

缓缓道：

“建立电离杂质散射和晶格振动散射的理论建模，这一步做得不错。”

“但要考虑到。”

“在低温下，部分杂质是否有未电离的问题，不能將总掺杂浓度nd直接代入……”

听著江阳的分析。

吴德心“唰”

地一下直接低下了头。

但他並没有失落太久，

很快就调整好心態。

从隨身的挎包中，掏出纸笔记下江阳所说的问题。

……

接下来。

轮到李智俭。

他选择的问题。

是高电场下的载流子雪崩击穿机制的定量分析。

实话说。

这放在国际学界，都是一个难题。

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首篇硅雪崩二极体专利，都是到了60年，才由贝尔实验室申请。

想在国內研究。

基础的雪崩击穿理论，非常难获取不说。

比较关键的载流子热化效应也尚未完全阐明。

只依靠简化的模型。

基本没有解决这个问题的可能。

当然。

李智俭的研究思路，还是非常不错的。

江阳看完后。

拿出铅笔，在一张稿纸写下雪崩击穿条件：

∫0dαpe∫0x（αp?αn）dxdx=1∫0dαpe∫0x（αp?αn）dxdx=1。

（αp，αnαp，αn为空穴电子电离係数）。