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第45章 前往半导体研究室开始研製硅单晶（第3页）

“当然没问题”

闻言，王寿吾神色振奋。

一旁的黄琨和林嵐因两人，眼中也浮现出浓浓的喜悦之色。

高纯石英坩堝和耐高温单晶炉，让他们真切地看到了。

——华国半导体崛起的希望！

……

隨后。

江阳跟著王寿吾三人，来到应物所的半导体研究室。

得到消息。

应物所的所长师汝为，立刻赶过来表示欢迎。

简单地寒暄过后。

江阳也没有耽搁，直接进入正题。

……

会议室內。

半导体研究室的所有研究人员，全部到场。

虽然熬了一夜。

但每个人都精神抖擞，眼中满是期待。

江阳站在台上，道：

“大家已经看过高纯石英坩堝和耐高温单晶炉的方案。”

“这里我就不重复说了。”

“接下来，我想说一说现有的工艺上的问题，多晶硅气泡、晶界於错位……”

……

在高纯度硅原料的製备过程中。

工艺缺陷，是制约材料纯度和单晶质量的关键。

它包括化学杂质污染，以及物理结构缺陷。

要解决的话並不复杂。

比如利用定向凝固化，將多晶硅锭缓慢熔化。

再利用杂质分凝效应，使杂质富集在尾部位置，切除后就能提升10倍的纯度。

虽说会导致硅材料损耗率提高。

但是现有条件下，能够让他们提炼出更高纯度硅单晶的最佳方案。

当然，江阳没有將方案完全说出来。

而是给出方向，让半导体研究室的人去进行试验

……

半个小时后。

江阳终於將硅单晶的研製方案，全部说完。

会议室內。

安静得落针可闻。